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產品
MOSFET
IGBT
SiC SBD
Datasheet
Part No.
Package Type
Configuration
MOSFET Type
V(BR)DSS (V) Min.
VGS (±V) Max.
Vth (V) Max.
RDS(ON) (mΩ) Max.
@VGS=10V
RDS(ON) (mΩ) Max.
@VGS=4.5V
RDS(ON) (mΩ) Max.
@VGS=2.5V
RDS(ON) (mΩ) Max.
@VGS=1.8V
Ciss (pF) Typ.
Coss (pF) Typ.
Crss (pF) Typ.
Qg (nC) Typ.
@VGS=10V
Qg (nC) Typ.
@VGS=4.5V
Qgs (nC) Typ.
Qgd (nC) Typ.
ID (A)
@25℃ Max.
PD (W)
@25℃ Max.
ESD Diode
Schokkty Diode
4 IN 1
6 IN 1
Asym. Dual
Com. Dual
Dual
Single
N
N+N
N+N+N+N
N+N+N+N+N+N
N+P
P
P+P
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
O
X
-
O
X
-
PDEV2220Y
SOT563
Dual
N+N
20
8
1
-
300
400
550
38.2
14.4
6
-
1
0.26
0.2
0.8
0.312
O
X
PDEV2219Y
SOT563
Dual
P+P
-20
8
-1
-
600
850
1200
40
15
6.5
-
1
0.28
0.18
0.4
0.312
O
X
PDEV2120AY
SOT563
Dual
N+P
20
12
1
-
300
400
550
38.2
14.4
6
-
1
0.26
0.2
0.8
0.312
O
X
PDEV2120AY
SOT563
Dual
N+P
-20
12
1
-
600
850
1200
40
15
6.5
-
1
0.28
0.18
0.4
0.312
O
X