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產品
MOSFET
IGBT
SiC SBD
Datasheet
Part No.
Package Type
Configuration
MOSFET Type
V(BR)DSS (V) Min.
VGS (±V) Max.
Vth (V) Max.
RDS(ON) (mΩ) Max.
@VGS=10V
RDS(ON) (mΩ) Max.
@VGS=4.5V
RDS(ON) (mΩ) Max.
@VGS=2.5V
RDS(ON) (mΩ) Max.
@VGS=1.8V
Ciss (pF) Typ.
Coss (pF) Typ.
Crss (pF) Typ.
Qg (nC) Typ.
@VGS=10V
Qg (nC) Typ.
@VGS=4.5V
Qgs (nC) Typ.
Qgd (nC) Typ.
ID (A)
@25℃ Max.
PD (W)
@25℃ Max.
ESD Diode
Schokkty Diode
4 IN 1
6 IN 1
Asym. Dual
Com. Dual
Dual
Single
N
N+N
N+N+N+N
N+N+N+N+N+N
N+P
P
P+P
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
O
X
-
O
X
-
PDEV2220Z
SOT363
Dual
N+N
20
8
1
-
300
400
550
38.2
14.4
6
-
1
0.26
0.2
0.8
0.275
O
X
PDEV3520Z
SOT363
Dual
N+N
30
12
1.2
-
450
650
-
72.9
18.3
7.4
-
2.6
0.9
0.6
0.8
0.275
O
X
PDEV2219Z
SOT363
Dual
P+P
-20
8
-1
-
600
850
1200
40
15
6.5
-
1
0.28
0.18
0.54
0.278
O
X
PDEV2120Z
SOT363
Dual
N+P
-20
8
1
-
600
850
1200
40
15
6.5
-
1
0.28
0.18
0.4
0.275
O
X
PDEV2120Z
SOT363
Dual
N+P
-20
8
1
-
600
850
1200
40
15
6.5
-
1
0.28
0.18
0.4
0.275
O
X
PDEV68A8Z
SOT363
Dual
N+N
60
20
2.5
3000
4000
-
-
65
21
8.5
-
-
-
-
0.2
0.278
O
X